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IC設計與制造
兆易創新宣布與Rambus簽訂專利授權協議
出自:大半導體產業網

兆易創新GigaDevice今日宣布,與領先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術簽署專利授權協議。同時,兆易創新還與其同Rambus 以及幾家戰略投資伙伴的合資企業——合肥睿科微(Reliance Memory)簽署了授權協議 。根據協議內容,兆易創新從Rambus和睿科微獲得180多項RRAM技術相關專利和應用,這將有助于兆易創新在新型存儲器RRAM 領域的前瞻性技術布局,從而為嵌入式產品提供更豐富的存儲解決方案。

RRAM作為一種非易失性隨機存儲方式,能夠在改變電壓的前提下,通過改變電介質的電阻進行存儲。 RRAM擁有獨特物理與器件特性,可在工藝后端線(BEOL) 以列陣結構制造,其列陣結構的低電壓特性能夠有效降低MCU產品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗,非常適合物聯網應用; 此外,根據學術界與行業發表的相關文獻,在平衡性能、可靠性及成本的方面,RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內存(SCM)。?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????

兆易創新是一家扎根中國,服務全球的國際化公司,兆易創新一直密切關注存儲領域的技術創新,積極進行戰略布局,開拓具有差異化的細分市場。早在2018年5月,兆易創新就攜手Rambus以及其他全球知名半導體投資機構創辦了以RRAM技術為核心業務的合資公司合肥睿科微。

兆易創新董事長朱一明先生表示:“兆易創新一直以創新為己任,多年來致力新技術革新,強化產品競爭力,重視核心專利, 此次獲得Rambus和睿科微針對RRAM技術的授權,有助于我們為客戶提供更具創新特色的存儲解決方案。”

Rambus技術合作和企業發展高級副總裁Kit Rodgers表示:“兆易創新在全球閃存領域已取得顯著的成績,我們很高興能夠將RRAM專利方案授權給兆易創新,此次授權能夠幫助其在存儲器領域開發創新型的解決方案,并加速其商用的進程。”


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文章收入時間: 2020-05-14
 
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