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盛美半導體設備宣布新款環境友好、低成本、高效益高效的先進晶圓清洗設備可全球商用
出自:大半導體產業網

Ultra C Tahoe清洗效果可媲美單片晶圓清洗,而硫酸消耗量僅為其數分之一

盛美半導體設備,作為先進半導體制程的世界領先晶圓濕法清洗設備供應商,今宣布,世界首臺槽式與單片清洗集成設備——Ultra C Tahoe,現已在大生產線上正式商用。Ultra C Tahoe清洗設備可應用于光刻膠去除,刻蝕后清洗,離子注入后清洗,CMP后清洗等制程,具有提升清洗制程效果,縮減化學藥液成本,并顯著降低硫酸廢液排放量等優勢。

由于全球對環境問題的日益關注,加上政府部門對半導體工業產生的廢液排放進一步加強監管和限制,因此迫切需要一款既能降低化學藥液用量,又不犧牲清洗制程效果的清洗設備。尤其需要重視的是,目前業內對半導體工業排放的廢硫酸的處理方法欠佳,仍有部分地區(如美國)使用填埋式處理,此方法很有可能會給環境帶來風險。在部分土地資源受限的地區(如韓國,臺灣,上海等),填埋式處理方法無法實施的情況下,高溫純化處理方法也會是一種選擇,然而,高溫純化處理也將面臨能源耗費以及溫室氣體排放等一系列的問題。

?“硫酸廢液的處理是先進集成電路制造中的重要挑戰。例如在臺灣,半導體工廠占用了該地區硫酸總使用量的一半以上。”盛美半導體設備的CEO王暉說,“單憑槽式清洗,無法滿足28nm及以下技術節點的制程要求,因此,清洗技術逐漸從槽式清洗轉變為單片清洗,由此提高清洗制程效果。然而,這一轉變大大地增加了硫酸消耗量,使得目前對硫酸廢液的處理引發了一系列安全問題,能耗問題,以及環境問題。盛美半導體設備開發了獨具自主知識產權的Tahoe設備,其優秀的清洗效果與靈活的制程適用性可與單片晶圓清洗設備相媲美,滿足客戶的期望,與此同時,其硫酸的消耗量卻僅為單片晶圓清洗設備的數分之一。我們認為它一舉兩得,既使半導體工業技術路線得以繼續向下延伸,又兼顧環保問題,節省了在廢液排放上的巨大開支。”

Ultra C Tahoe清洗設備在單個濕法清洗設備中集成了兩個模塊。在槽式模塊中,配有硫酸雙氧水混合液(SPM)清洗與快速傾卸沖洗(QDR),SPM制程藥液在此獨立的槽式模塊中被循環使用,與單片SPM清洗相比,至少可減少80%的硫酸廢液排放。Tahoe設備中,槽式清洗之后,晶圓將在濕潤狀態下,被傳至單片模塊,進行進一步的先進清洗制程。

單片清洗腔體可按客戶需求進行靈活的配置,如配備標準清洗液(SC1),氫氟酸(HF),臭氧水(DI-O3),以及其它各種制程藥液。單片清洗腔體可配置至多4支擺臂,每支擺臂可提供至多3種制程藥液。還可選配氮氣霧化水清洗擺臂或盛美獨有的智能兆聲波擺臂進行兆聲波清洗。該系統還可為圖形片提供所需的IPA干燥功能。

Ultra C Tahoe清洗設備,現已被證明其具有可與最先進的單片晶圓清洗設備相匹配的低交叉污染風險和優秀的顆粒去除效果,而且其SPM的消耗量比單片清洗設備低得多。盛美半導體設備客戶端商業大產線數據表明,30nm條件下,與傳統槽式SPM清洗設備相比,此集成式的Tahoe清洗設備可將晶圓上的顆粒數控制從數百顆降低到十顆。以每日處理兩千片晶圓為例,Tahoe清洗設備每日消耗硫酸僅不到兩百升,與單片SPM設備相比,每日可減少超過一千六百升硫酸廢液排放。

現在, Ultra C Tahoe清洗設備已可全球商用,包括在臺灣地區,韓國及美國等地。請聯系您區域的盛美半導體設備銷售代表,以獲得更多資訊,滿足您工廠的客制化需求。
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文章收入時間: 2019-12-17
 
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